ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ

Аннотация

Розраховано та експериментально вивчено граничні величини осьових та радіальних градієнтів температури для вирощування монокристалів алмаза різних типів та габітусу. Визначені граничні значення температури, перевищення яких призводить до росту дефектних кристалів; показано, що для кожної розчин-розплавної системи такі значення відрізняються і їх необхідно підбирати окремо. Встановлені необхідні температурні умови для формування монокристалів алмазу кубічного і кубоктаедричноого габітусу, а також запобігання утворенню кристалів бінарної форми з розвитком дефектної області кристалу, пов’язану із зміненням характеристик переносу вуглецю від джерела до фронту кристалізації.