ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ І ПОГЛИНАННЯ МІКРОХВИЛЬОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ В КОМПОЗИТАХ AlN–SiC З ВИСОКИМ ВМІСТОМ КАРБІДУ КРЕМНІЮ

Анотація

Досліджено керамічні композити AlN–SiC, придатні для використання у якості об’ємних поглиначів мікрохвильового випромінювання. За великої кількості експериментальних даних встановлено взаємозв’язок між об’ємним електричним опором, добротністю та поглинанням мікрохвильового випромінювання в діапазоні частот 30–40 ГГц у напівпровідникових композитах AlN–SiC з високим вмістом частинок карбіду кремнію. В одній і тій же партії з 100 виробів поглинання мікрохвильового випромінювання змінюється лише на 10–15%. Показано, що поглинання випромінювання зростає при зменшенні об’ємного опору в композитах AlN–50%SiC: коефіцієнт поглинання зростає в 5 разів (з 1,58 до 8,0 дБ/мм) зі зменшенням опору в 8,9 рази (з 17,8 до 2,0 кОм). Розкид значень об’ємного електричного опору ймовірно пов’язаний з опором провідних ланцюжків різної довжини, що складаються з частинок карбіду кремнію різного розміру. Для збільшення поглинання електромагнітної енергії керамічні композити AlN–SiC з високим вмістом карбіду кремнію повинні мати знижений об’ємний опір порядку 1–2 кОм.